- [檢測(cè)百科]分享：不同Si３N４ 相涂層坩堝中全熔多晶硅錠的制備及表征2021年08月26日 14:50
- 以αＧSi３N４ 和βＧSi３N４ 粉為原料,采用免燒結(jié)工藝在坩堝內(nèi)壁上分別制備了αＧSi３N４ 涂層、βＧSi３N４ 涂層以及二者質(zhì)量比為１∶１的復(fù)合涂層,然后在這些涂層坩堝中制備得到了多晶硅鑄錠,觀察了涂層和硅錠的表面形貌,測(cè)試了硅錠的表面粗糙度、晶粒大小以及紅區(qū)長(zhǎng)度.結(jié)果表明:αＧSi３N４ 涂層表面粗糙不平、起伏不均勻,對(duì)應(yīng)硅錠的表面粗糙度和晶粒尺寸最大,
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