金相組織是產(chǎn)品質(zhì)量檢查的重要內(nèi)容，是產(chǎn)品性能的決定性因素。
（1）金相組織的高、低倍檢查
A．低倍檢查：在目視或30倍以下的放大鏡下觀察，根據(jù)試樣低倍組織或相應(yīng)要求的圖譜進行評定。
B．高倍檢查：用顯微鏡進行觀察，觀察倍數(shù)根據(jù)相應(yīng)要求而定。原則上從低倍（一般取100倍）到高倍（一般取400或500倍）順序進行。
（2） 脫碳、滲碳檢查
從脫碳、滲碳層表面測量至與表面組織有明顯差異的內(nèi)部組織(1/2過度區(qū))處，深度測量，由表面測量至內(nèi)部組織過度區(qū)的1/2處 。
（3）過熱、過燒組織檢查
過熱是晶粒粗大超過標準要求；如果拋光試樣上出現(xiàn)晶界加粗、燒熔和沿晶界出現(xiàn)大小不一的孔洞時，判為過燒。過熱、過燒有兩種情況產(chǎn)生，一種是熱鐓過程產(chǎn)生，一種是熱處理固溶或淬火過程產(chǎn)生，都是由于加熱溫度過高造成，金相檢查已完全能夠進行判斷。
A. 過熱檢查
鈦合金熱處理后出現(xiàn)針狀、條狀組織，無初生α相、該組織為過熱組織。對結(jié)構(gòu)鋼、不銹鋼、高溫合金產(chǎn)品，當晶粒粗大，超過標準要求時等可判為過熱。
B. 過燒檢查
高溫合金、不銹鋼拋光或腐蝕狀態(tài)下如出現(xiàn)燒溶孔洞、晶界熔化、溶融物質(zhì)；結(jié)構(gòu)鋼出現(xiàn)晶界氧（熔）化、魏氏組織，晶粒粗大；鋁合金過燒則出現(xiàn)晶界加粗、三角晶界、復(fù)熔球等情況判為過燒。
（4）晶粒度檢查
晶粒度的大小主要與熱處理固溶溫度和保溫時間有關(guān)，控制熱處理固溶溫度和保溫時間，防止晶粒長大。
A. 鈦合金低倍晶粒度采用相應(yīng)要求的圖譜目視進行評定。
B. 高溫合金、不銹鋼晶粒度根據(jù)相應(yīng)要求的圖譜進行，需要仲裁時，采用面積法、截點法進行評定。
C. 晶粒度級別要求
不同材料的緊固件對晶粒度的要求也不同，例如，五種高溫合金緊固件的晶粒度不一樣，晶粒度級別要求如下：
優(yōu)質(zhì)GH2132晶粒度5級或更細。
GH4169晶粒度等于或細5級，允許個別3級。
GH738晶粒度2-6級不允許粗于1級和細于7級晶粒度存在。
GH141晶粒度等于或細于2級，允許個別1級。
GH159晶粒度等于或細4級，允許個別2級。
(5) 晶間腐蝕、氧化滲透檢查
A. 晶界腐蝕(高溫晶界氧化)是一種高溫表面氧化的形式，加工面不允許有晶界腐蝕。如采用氬氣保護，氬氣不純；真空熱處理真空度不夠等情況都會產(chǎn)生晶界腐蝕和表面氧化。在熱處理固溶及熱鐓過程，應(yīng)避免由于溫度高產(chǎn)生晶界腐蝕。采用氬氣保護爐熱處理時，必須控制氬氣的純度；采用真空爐熱處理時，必須控制真空度達到標準要求。
B. 在拋光、腐蝕狀態(tài)下檢查晶間腐蝕與氧化滲透，試樣腐蝕時要適度，讓組織輕微顯示。
(6) 表面污染、氧污染檢查
鈦合金表面污染檢查時，如表層組織與內(nèi)部組織有較明顯差異，表層α相增多，則表面存在污染，氧污染的產(chǎn)生主要來自熱鐓和熱處理，根據(jù)鈦合金的特性，其在500℃以上就容易被氧化，在熱鐓時或非真空熱處理過程中，零件表面的溫度高于500℃以后，零件表面被氧化。組織檢查時表面α相增多，出現(xiàn)一層富α層，富α層的深度即為表面氧污染的深度。
(7) 螺紋折迭檢查
螺紋折迭是一種在滾壓螺紋過程中造成的缺陷，制造技術(shù)條件規(guī)定不允許中徑以下有折迭缺陷。螺紋滾壓過程操作不當，造成螺紋折疊，有螺紋折迭的產(chǎn)品整批報廢，高溫合金緊固件應(yīng)無螺紋折迭。在成品零件螺紋檢查過程中，出現(xiàn)螺紋折迭的現(xiàn)象有兩種情況，一種是滾壓螺紋過程中造成的，折迭在螺紋某一個位置有規(guī)律出現(xiàn)；另一種是制樣過程中產(chǎn)生的，螺紋折迭無規(guī)律出現(xiàn)。
(8) 金屬流線檢查
產(chǎn)品經(jīng)鐓制后，金屬流線沿零件外形分布。金屬流線檢查是考核產(chǎn)品是否經(jīng)過鐓制，熱鐓或冷鐓工藝是否滿足緊固件成型的要求。對流線的檢查，不同高溫合金產(chǎn)品的金屬流線腐蝕劑不同，采用目測或10倍以下放大鏡或低倍數(shù)的顯微鏡觀察。流線試樣的腐蝕有化學(xué)法和電解法，大多數(shù)采用化學(xué)法，高溫合金緊固件采用電解腐蝕法，高溫合金緊固件流線的電解腐蝕方法很多，常用有以下幾種：
a.10%草酸水溶液 ，2～10v。
b.10ml硝酸+5ml冰醋酸+85ml水，1～2v。
c.50ml硫酸+10ml磷酸+40ml硝酸，2～5v。
d.25g鉻酐+10ml水+130ml冰醋酸，0.2～0.4v。
